與 LPDDR4/4X DRAM 相比，LPDDR5 DRAM 支持高達 6400 Mbps 的數據速率和在更低的工作電壓（VDD 的 1.05/0.9V 和 I/O 的 0.5/0.35V）下支持更大的設備尺寸（每個通道 2Gb 至 32Gb）。表 1 顯示了 LPDDR5 和 LPDDR4 DRAM 之間的比較： ? LPDDR5 DRAM LPDDR4 DRAM ...

LPDDR5是什么？ LPDDR全稱Low Power Double Data Rate，是美國JEDEC固態技術協會面向低功耗內存而制定的通信標準，以低功耗和小體積著稱，專門用于移動式電子產品。簡稱“低功耗內存”。而LPDDR5就是最新的標準。 JEDEC（固態技術協會）把LPDDR5 標準叫做JESD209-5。標準規定了LPDDR5將以6400MT/s的速率運行，是LPDDR4的兩...

內存技術也經歷著不斷更新迭代，如今，雙倍數據速率（DDR）同步動態隨機存取存儲器（SDRAM 或直接稱為 DRAM）技術，已成為幾乎所有從高性能企業數據中心到注重功耗/面積的移動應用中的普遍的存儲器。這一切都要歸功于DDR 的高密度特性，其采用了電容器作為存儲元件的簡單架構具有高性能、低延遲、高訪問壽命以及低功耗等特點。 內存接口芯片是內存模組（又稱內存條）的核心器件。作為服務器CPU 存...

DDR4 在一些服務器和工作站上已經開始使用，DDR4 和前代的 DDR3 相比， 它的速度大幅提升，最高可以達到 3200Mb/s,這樣高速的信號，對信號完整性的要求就更加嚴格，JESD79‐4 規范也對 DDR4 信號的測量提出了新的要求， 本文就要討論一下 DDR4 測試面臨的新挑戰。 DDR4新的特性 DDR4 相比 DDR3，有很多新的變化，首先它的帶寬提高了近一倍，最高達到 ...

Serial Flash 量測問題 在許多的電子產品中都有使用 Serial Flash的需求，它有較簡單的控制程序與電路以及可靠的儲存能力，使它倍受青睞。因此，常被用于電子產品里放置較關鍵的開機程序(Boot code)或系統設定資料(System setting)。每當系統啟動時，Serial Flash 就會忙碌起來，盡快的把儲存在里面的程序或資料載入系統內。但越來越復雜的命令組合以...

近年以來受惠影音消費性電子產品興起的熱潮，消費者對資料儲存的需求與日俱增，使得NAND Flash的需求出現大幅度的成長。 快閃記憶體(Flash Memory)目前分為NOR和NAND兩種，NOR、NAND Flash結構由東芝(Toshiba)于1988 和1989年發表。 NOR Flash具有XIP (eXecute In Place)的特點，這樣應用程序可以直接在Flash內運行...